Ключевое слово: «деморкационные уровни»
Камалудинова Х. Э. Центры с глубокими уровнями в халькогенидных полупроводниках // Научно-методический электронный журнал «Концепт». – 2014. – Т. 20. – С. 4846–4850. – URL: http://e-koncept.ru/2014/55234.htm
Х. Э. Камалудинова
Данная статья посвящена построению обобщенной модели генерационно-рекомбинационных процессов, обусловливающих термоактивационные спектры в реальных полупроводниках с нарушенной трансляционной симметрией. Определены характеристические параметры, и изучаются особенности генерационно-рекомбинационных процесов с участием медленных электронных ловушек.
Ключевые слова:
халькогениды, сечение захвата, релаксация, центр прилипания, деморкационные уровни, туннелирование
